STB200N4F3

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB200N4F3
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Datenblätte:	STB200N4F3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	29485 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 29485 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STB200N4F3

Artikelnummer	STB200N4F3	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	29485 pcs	Datenblatt	STB200N4F3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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