STB5NK52ZD-1

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB5NK52ZD-1
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
Datenblätte:	STB5NK52ZD-1.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	58287 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 58287 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.58

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Spezifikationen von STB5NK52ZD-1

Artikelnummer	STB5NK52ZD-1	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	58287 pcs	Datenblatt	STB5NK52ZD-1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK
Serie	SuperMESH™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2.2A, 10V
Verlustleistung (max)	70W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Andere Namen	497-5952-5
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	529pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.9nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	520V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 520V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.4A (Tc)

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