STD65N55F3

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STD65N55F3
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Datenblätte:	STD65N55F3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	86088 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 86088 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.43

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Spezifikationen von STD65N55F3

Artikelnummer	STD65N55F3	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 80A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	86088 pcs	Datenblatt	STD65N55F3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 32A, 10V
Verlustleistung (max)	110W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	497-7973-2 STD65N55F3-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 55V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)

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