STD80N10F7

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STD80N10F7
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Datenblätte:	STD80N10F7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	63682 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 63682 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.453

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Spezifikationen von STD80N10F7

Artikelnummer	STD80N10F7	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 70A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	63682 pcs	Datenblatt	STD80N10F7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)	85W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	497-14812-2 STD80N10F7-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 70A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	70A (Tc)

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