STFU16N65M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STFU16N65M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET
Datenblätte:	STFU16N65M2.pdf
Zustand des Lagers	81684 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 81684 pcs

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Spezifikationen von STFU16N65M2

Artikelnummer	STFU16N65M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	81684 pcs	Datenblatt	STFU16N65M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220FP
Serie	MDmesh™ M2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)	25W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	718pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)

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