STGB6M65DF2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STGB6M65DF2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
Datenblätte:	STGB6M65DF2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	125139 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 125139 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STGB6M65DF2

Artikelnummer	STGB6M65DF2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	125139 pcs	Datenblatt	STGB6M65DF2.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	650V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 6A
Testbedingung	400V, 6A, 22 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	15ns/90ns
Schaltenergie	36µJ (on), 200µJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	M	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	140ns
Leistung - max	88W	Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp	Standard	IGBT-Typ	Trench Field Stop
Gate-Ladung	21.2nC	detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount D2PAK
Strom - Collector Pulsed (Icm)	24A	Strom - Kollektor (Ic) (max)	12A

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