STGW80H65DFB-4

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STGW80H65DFB-4
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	IGBT BIPO 650V 80A TO247
Datenblätte:	STGW80H65DFB-4.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	8528 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8528 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

600 pcs: $3.412

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Spezifikationen von STGW80H65DFB-4

Artikelnummer	STGW80H65DFB-4	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	IGBT BIPO 650V 80A TO247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	8528 pcs	Datenblatt	STGW80H65DFB-4.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	650V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 80A
Testbedingung	400V, 80A, 10 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	84ns/280ns
Schaltenergie	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247-4L
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	85ns
Leistung - max	469W	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-4	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	Trench Field Stop	Gate-Ladung	414nC
detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L	Strom - Collector Pulsed (Icm)	240A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	120A

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Nach dem Verkauf
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