STH130N8F7-2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STH130N8F7-2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
Datenblätte:	STH130N8F7-2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	89072 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 89072 pcs

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Spezifikationen von STH130N8F7-2

Artikelnummer	STH130N8F7-2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	89072 pcs	Datenblatt	STH130N8F7-2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	H2Pak-2
Serie	STripFET™ F7	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 55A, 10V
Verlustleistung (max)	205W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 110A (Tc) 205W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	110A (Tc)

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