STH170N8F7-2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STH170N8F7-2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 80V 120A
Datenblätte:	STH170N8F7-2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	57598 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57598 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1000 pcs: $0.508

2000 pcs: $0.473

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Spezifikationen von STH170N8F7-2

Artikelnummer	STH170N8F7-2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 120A	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	57598 pcs	Datenblatt	STH170N8F7-2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	H2Pak-2
Serie	STripFET™ F7	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max)	250W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-16002-2 STH170N8F7-2-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8710pF @ 40V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2Pak-2	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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