STI23NM60N

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STI23NM60N
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
Datenblätte:	STI23NM60N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	26642 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26642 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1000 pcs: $1.363

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Spezifikationen von STI23NM60N

Artikelnummer	STI23NM60N	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	26642 pcs	Datenblatt	STI23NM60N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK
Serie	MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (max)	150W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2050pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	19A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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