STL11N6F7

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STL11N6F7
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
Datenblätte:	1.STL11N6F7.pdf 2.STL11N6F7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	201349 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 201349 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.164

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Spezifikationen von STL11N6F7

Artikelnummer	STL11N6F7	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	201349 pcs	Datenblatt	1.STL11N6F7.pdf 2.STL11N6F7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)	2.9W (Ta), 48W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Andere Namen	497-16501-2
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1035pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 11A (Ta) 2.9W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Ta)

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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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