STL17N3LLH6

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STL17N3LLH6
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
Datenblätte:	STL17N3LLH6.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	57503 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57503 pcs

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Spezifikationen von STL17N3LLH6

Artikelnummer	STL17N3LLH6	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	57503 pcs	Datenblatt	STL17N3LLH6.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 8.5A, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Ta), 50W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Andere Namen	497-10880-1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1690pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 17A (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	17A (Tc)

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