STL19N60M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STL19N60M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT
Datenblätte:	1.STL19N60M2.pdf 2.STL19N60M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	69369 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 69369 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.523

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Spezifikationen von STL19N60M2

Artikelnummer	STL19N60M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	69369 pcs	Datenblatt	1.STL19N60M2.pdf 2.STL19N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerFlat™ (8x8) HV
Serie	MDmesh™ M2	Verlustleistung (max)	90W (Tc)
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	791pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)

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