STL25N60M2-EP

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STL25N60M2-EP
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
Datenblätte:	STL25N60M2-EP.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	35374 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35374 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.987

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500 pcs: $0.618

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Spezifikationen von STL25N60M2-EP

Artikelnummer	STL25N60M2-EP	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	35374 pcs	Datenblatt	STL25N60M2-EP.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerFlat™ (8x8) HV
Serie	MDmesh™ M2-EP	Rds On (Max) @ Id, Vgs	205 mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Andere Namen	497-16249-1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1090pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 16A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	16A (Tc)

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