STL3N65M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STL3N65M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Datenblätte:	STL3N65M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	199546 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 199546 pcs

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Spezifikationen von STL3N65M2

Artikelnummer	STL3N65M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	199546 pcs	Datenblatt	STL3N65M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie	MDmesh™ M2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	22W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	155pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.3A (Tc)

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