STL9N60M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STL9N60M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
Datenblätte:	STL9N60M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	89952 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 89952 pcs

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Spezifikationen von STL9N60M2

Artikelnummer	STL9N60M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	89952 pcs	Datenblatt	STL9N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerFlat™ (5x6) HV
Serie	MDmesh™ II Plus	Rds On (Max) @ Id, Vgs	860 mOhm @ 2.4A, 10V
Verlustleistung (max)	48W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Andere Namen	497-14970-2
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	320pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 4.8A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.8A (Tc)

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