STP100N10F7

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STP100N10F7
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N CH 100V 80A TO-220
Datenblätte:	STP100N10F7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	31377 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 31377 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.001

50 pcs: $0.808

100 pcs: $0.727

500 pcs: $0.565

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Spezifikationen von STP100N10F7

Artikelnummer	STP100N10F7	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N CH 100V 80A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	31377 pcs	Datenblatt	STP100N10F7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)	150W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	497-13550-5
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4369pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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