STP10N60M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STP10N60M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V TO-220
Datenblätte:	STP10N60M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	54326 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54326 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.685

50 pcs: $0.549

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500 pcs: $0.372

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Spezifikationen von STP10N60M2

Artikelnummer	STP10N60M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	54326 pcs	Datenblatt	STP10N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220
Serie	MDmesh™ II Plus	Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	85W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	497-13970-5 STP10N60M2-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.5A (Tc)

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