STP12NM50

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STP12NM50
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
Datenblätte:	STP12NM50.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	57714 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57714 pcs

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Spezifikationen von STP12NM50

Artikelnummer	STP12NM50	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	57714 pcs	Datenblatt	STP12NM50.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	MDmesh™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	160W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	497-2666-5
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 12A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)

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