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STP18N60DM2

STMicroelectronicsSTMicroelectronics
STP18N60DM2 Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: STP18N60DM2
Hersteller / Marke: STMicroelectronics
Produktbeschreibung MOSFET N-CH 600V 12A
Datenblätte: STP18N60DM2.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 35037 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 35037 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
1 pcs
$1.033
50 pcs
$0.834
100 pcs
$0.751
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$0.584
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Spezifikationen von STP18N60DM2

Artikelnummer STP18N60DM2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 12A Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 35037 pcs Datenblatt STP18N60DM2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220
Serie MDmesh™ DM2 Rds On (Max) @ Id, Vgs 295 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max) 90W (Tc) Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Andere Namen 497-16338-5
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX www.FedEx.com Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
DHL www.DHL.com Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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