STP19NB20

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STP19NB20
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Datenblätte:	STP19NB20.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	108600 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 108600 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STP19NB20

Artikelnummer	STP19NB20	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	108600 pcs	Datenblatt	STP19NB20.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	PowerMESH™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	497-2650-5
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	19A (Tc)

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