STP30N10F7

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STP30N10F7
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB
Datenblätte:	STP30N10F7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	109487 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 109487 pcs

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Spezifikationen von STP30N10F7

Artikelnummer	STP30N10F7	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	109487 pcs	Datenblatt	STP30N10F7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)	50W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1270pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 32A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	32A (Tc)

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