STPSC1006G-TR

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STPSC1006G-TR
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Datenblätte:	STPSC1006G-TR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5081 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5081 pcs

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Spezifikationen von STPSC1006G-TR

Artikelnummer	STPSC1006G-TR	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	DIODE SILICON 600V 10A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5081 pcs	Datenblatt	STPSC1006G-TR.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Silicon Carbide Schottky	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	10A
Spannung - Durchschlag	D²PAK	Serie	-
RoHS Status	Tape & Reel (TR)	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	No Recovery Time > 500mA (Io)
Widerstand @ If, F	650pF @ 0V, 1MHz	Polarisation	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen	497-11209-2 STPSC1006GTR	Betriebstemperatur - Anschluss	0ns
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	STPSC1006G-TR	Expanded Beschreibung	Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Surface Mount D²PAK
Diodenkonfiguration	150µA @ 600V	Beschreibung	DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.7V @ 10A	Strom - Richt (Io) (pro Diode)	600V
Kapazität @ Vr, F	-40°C ~ 175°C

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