STS1HNK60

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STS1HNK60
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
Datenblätte:	STS1HNK60.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	78760 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 78760 pcs

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Spezifikationen von STS1HNK60

Artikelnummer	STS1HNK60	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	78760 pcs	Datenblatt	STS1HNK60.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	SuperMESH™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	497-3530-1
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	156pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	300mA (Tc)

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