STS4DNFS30L

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STS4DNFS30L
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
Datenblätte:	STS4DNFS30L.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6165 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6165 pcs

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Spezifikationen von STS4DNFS30L

Artikelnummer	STS4DNFS30L	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6165 pcs	Datenblatt	STS4DNFS30L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	497-3227-2
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 4A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)

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