STS8DN3LLH5

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STS8DN3LLH5
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Datenblätte:	STS8DN3LLH5.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	60564 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 60564 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.611

10 pcs: $0.542

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500 pcs: $0.332

1000 pcs: $0.262

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Spezifikationen von STS8DN3LLH5

Artikelnummer	STS8DN3LLH5	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	60564 pcs	Datenblatt	STS8DN3LLH5.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	STripFET™ V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 5A, 10V
Leistung - max	2.7W	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	497-10391-6
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	724pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 4.5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.7W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A	Basisteilenummer	ST*8DN

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