STW70N10F4

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STW70N10F4
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 65A TO-247
Datenblätte:	STW70N10F4.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	45031 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45031 pcs

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Spezifikationen von STW70N10F4

Artikelnummer	STW70N10F4	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 65A TO-247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	45031 pcs	Datenblatt	STW70N10F4.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247-3
Serie	DeepGATE™, STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.5 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	150W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	497-8797-5
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5800pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 65A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	65A (Tc)

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