STWA48N60DM2

STMicroelectronics

Bild kann Darstellung sein. Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Produktübersicht

Artikelnummer:	STWA48N60DM2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET
Datenblätte:	STWA48N60DM2.pdf
Zustand des Lagers	16100 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 16100 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

600 pcs: $2.003

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Spezifikationen von STWA48N60DM2

Artikelnummer	STWA48N60DM2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	16100 pcs	Datenblatt	STWA48N60DM2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247 Long Leads
Serie	MDmesh™ DM2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	79 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3250pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	40A (Tc)

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