STY100NS20FD

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STY100NS20FD
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
Datenblätte:	STY100NS20FD.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	11054 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11054 pcs

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Spezifikationen von STY100NS20FD

Artikelnummer	STY100NS20FD	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 100A MAX247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	11054 pcs	Datenblatt	STY100NS20FD.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	MAX247™
Serie	MESH OVERLAY™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)	450W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	497-5321-5
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7900pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	360nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 100A (Tc) 450W (Tc) Through Hole MAX247™	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)

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