1N5809US

Semtech

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Produktübersicht

Artikelnummer:	1N5809US
Hersteller / Marke:	Semtech
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 100V 6A
Datenblätte:	1N5809US.pdf
Zustand des Lagers	5820 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5820 pcs

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Spezifikationen von 1N5809US

Artikelnummer	1N5809US	Hersteller	Semtech
Beschreibung	DIODE GEN PURP 100V 6A	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	5820 pcs	Datenblatt	1N5809US.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	875mV @ 4A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	100V
Supplier Device-Gehäuse	-	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	30ns
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	SQ-MELF
Andere Namen	1N5809USS	Betriebstemperatur - Anschluss	-
Befestigungsart	Surface Mount	Diodentyp	Standard
detaillierte Beschreibung	Diode Standard 100V 6A Surface Mount	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5µA @ 100V
Strom - Richt (Io)	6A	Kapazität @ Vr, F	60pF @ 5V, 1MHz

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TNT	www.TNT.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.

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