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TSM120N06LCR RLG

TSC (Taiwan Semiconductor)TSC (Taiwan Semiconductor)
TSM120N06LCR RLG Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: TSM120N06LCR RLG
Hersteller / Marke: TSC (Taiwan Semiconductor)
Produktbeschreibung MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Datenblätte: TSM120N06LCR RLG.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 120283 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 120283 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
1 pcs
$0.284
10 pcs
$0.248
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$0.191
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Spezifikationen von TSM120N06LCR RLG

Artikelnummer TSM120N06LCR RLG Hersteller TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 120283 pcs Datenblatt TSM120N06LCR RLG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-PDFN (5x6)
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max) 69W (Tc) Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Andere Namen TSM120N06LCR RLGDKR
TSM120N06LCR RLGDKR-ND
TSM120N06LCRRLGDKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2116pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36.5nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 54A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Tc)

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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