TSM130NB06LCR RLG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	TSM130NB06LCR RLG
Hersteller / Marke:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Produktbeschreibung	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Datenblätte:	TSM130NB06LCR RLG.pdf
Zustand des Lagers	257379 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 257379 pcs

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Spezifikationen von TSM130NB06LCR RLG

Artikelnummer	TSM130NB06LCR RLG	Hersteller	TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	257379 pcs	Datenblatt	TSM130NB06LCR RLG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-PDFN (5x6)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 83W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerLDFN	Andere Namen	TSM130NB06LCRRLGTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2175pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 10A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Ta), 51A (Tc)

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