2SA1931,NETQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2SA1931,NETQ(J
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	TRANS PNP 5A 50V TO220-3
Datenblätte:	2SA1931,NETQ(J.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4366 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4366 pcs

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Spezifikationen von 2SA1931,NETQ(J

Artikelnummer	2SA1931,NETQ(J	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS PNP 5A 50V TO220-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4366 pcs	Datenblatt	2SA1931,NETQ(J.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 200mA, 2A
Transistor-Typ	PNP	Supplier Device-Gehäuse	TO-220NIS
Serie	-	Leistung - max	2W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack
Andere Namen	2SA1931NETQ(J 2SA1931NETQJ	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	60MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 5A 60MHz 2W Through Hole TO-220NIS	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 1A, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1µA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	5A

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