2SC5065-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2SC5065-Y(TE85L,F)
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	TRANSISTOR NPN MM-USM
Datenblätte:	2SC5065-Y(TE85L,F).pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	757796 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 757796 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von 2SC5065-Y(TE85L,F)

Artikelnummer	2SC5065-Y(TE85L,F)	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANSISTOR NPN MM-USM	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	757796 pcs	Datenblatt	2SC5065-Y(TE85L,F).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	12V	Transistor-Typ	NPN
Supplier Device-Gehäuse	USM	Serie	-
Leistung - max	100mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323	Andere Namen	2SC5065-Y(TE85LF)TR 2SC5065-YTE85LF
Betriebstemperatur	125°C (TJ)	Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Gewinnen	12dB ~ 17dB
Frequenz - Übergang	7GHz	detaillierte Beschreibung	RF Transistor NPN 12V 30mA 7GHz 100mW Surface Mount USM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	120 @ 10mA, 5V	Strom - Kollektor (Ic) (max)	30mA

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