TK10Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	TK10Q60W,S1VQ
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Datenblätte:	TK10Q60W,S1VQ.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	25932 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25932 pcs

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Spezifikationen von TK10Q60W,S1VQ

Artikelnummer	TK10Q60W,S1VQ	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	25932 pcs	Datenblatt	TK10Q60W,S1VQ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.7V @ 500µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I-PAK
Serie	DTMOSIV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	430 mOhm @ 4.9A, 10V
Verlustleistung (max)	80W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Stub Leads, IPak	Andere Namen	TK10Q60W,S1VQ(S TK10Q60WS1VQ
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Through Hole I-PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.7A (Ta)

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