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Toshiba Semiconductor and Storage
| Artikelnummer | TK31N60W5,S1VF | Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 12577 pcs | Datenblatt | TK31N60W5,S1VF.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-247 |
| Serie | DTMOSIV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 15.4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 230W (Tc) | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 | Andere Namen | TK31N60W5,S1VF(S TK31N60W5,S1VF-ND TK31N60W5S1VF |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30.8A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
|---|---|---|
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