TK62N60X,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	TK62N60X,S1F
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Datenblätte:	TK62N60X,S1F.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	8406 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8406 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $4.134

30 pcs: $3.391

120 pcs: $3.06

510 pcs: $2.564

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Spezifikationen von TK62N60X,S1F

Artikelnummer	TK62N60X,S1F	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	8406 pcs	Datenblatt	TK62N60X,S1F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 3.1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247
Serie	DTMOSIV-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 21A, 10V
Verlustleistung (max)	400W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	TK62N60X,S1F(S TK62N60XS1F
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6500pF @ 300V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	61.8A (Ta)

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