TK6A53D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	TK6A53D(STA4,Q,M)
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS
Datenblätte:	TK6A53D(STA4,Q,M).pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	71109 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 71109 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von TK6A53D(STA4,Q,M)

Artikelnummer	TK6A53D(STA4,Q,M)	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	71109 pcs	Datenblatt	TK6A53D(STA4,Q,M).pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220SIS
Serie	π-MOSVII	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	35W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Andere Namen	TK6A53D(STA4QM) TK6A53DSTA4QM
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	525V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 525V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6A (Ta)

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