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TPH1110FNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
TPH1110FNH,L1Q Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: TPH1110FNH,L1Q
Hersteller / Marke: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
Datenblätte: TPH1110FNH,L1Q.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 53358 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 53358 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
1 pcs
$0.688
10 pcs
$0.622
100 pcs
$0.50
500 pcs
$0.389
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Spezifikationen von TPH1110FNH,L1Q

Artikelnummer TPH1110FNH,L1Q Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 53358 pcs Datenblatt TPH1110FNH,L1Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 300µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SOP Advance (5x5)
Serie U-MOSVIII-H Rds On (Max) @ Id, Vgs 112 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN Andere Namen TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-ND
TPH1110FNHL1QCT
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
detaillierte Beschreibung N-Channel 250V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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