BS107G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BS107G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Datenblätte:	BS107G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4872 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4872 pcs

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Spezifikationen von BS107G

Artikelnummer	BS107G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4872 pcs	Datenblatt	BS107G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-92-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 200mA, 10V
Verlustleistung (max)	350mW (Ta)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Andere Namen	BS107G-ND BS107GOS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	250mA (Ta)

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