BS107P

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BS107P
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Datenblätte:	BS107P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	125188 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 125188 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.242

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Spezifikationen von BS107P

Artikelnummer	BS107P	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	125188 pcs	Datenblatt	BS107P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-92-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 Ohm @ 100mA, 5V
Verlustleistung (max)	500mW (Ta)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Andere Namen	BS107
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.6V, 5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120mA (Ta)

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