BS108G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BS108G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Datenblätte:	BS108G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4433 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4433 pcs

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Spezifikationen von BS108G

Artikelnummer	BS108G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4433 pcs	Datenblatt	BS108G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-92-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 100mA, 2.8V
Verlustleistung (max)	350mW (Ta)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 25V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2V, 2.8V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	250mA (Ta)

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