FCH190N65F-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCH190N65F-F085
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Datenblätte:	FCH190N65F-F085.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	14579 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14579 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.034

10 pcs: $1.817

450 pcs: $1.344

900 pcs: $1.09

1350 pcs: $1.017

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Spezifikationen von FCH190N65F-F085

Artikelnummer	FCH190N65F-F085	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	14579 pcs	Datenblatt	FCH190N65F-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247
Serie	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 27A, 10V
Verlustleistung (max)	208W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	FCH190N65F_F085 FCH190N65F_F085-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3181pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20.6A (Tc)

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