FCH20N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCH20N60
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
Datenblätte:	FCH20N60.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6691 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6691 pcs

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Spezifikationen von FCH20N60

Artikelnummer	FCH20N60	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 20A TO-247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6691 pcs	Datenblatt	FCH20N60.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247
Serie	SuperFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	208W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	FCH20N60_NL FCH20N60_NL-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3080pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Tc)

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