FCP110N65F

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCP110N65F
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Datenblätte:	FCP110N65F.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	20911 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 20911 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

800 pcs: $1.468

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Spezifikationen von FCP110N65F

Artikelnummer	FCP110N65F	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 35A TO220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	20911 pcs	Datenblatt	FCP110N65F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 3.5mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	FRFET®, SuperFET® II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 17.5A, 10V
Verlustleistung (max)	357W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4895pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	145nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	35A (Tc)

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