FCP11N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCP11N60
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
Datenblätte:	1.FCP11N60.pdf 2.FCP11N60.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	31639 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 31639 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.934

10 pcs: $0.844

100 pcs: $0.678

500 pcs: $0.527

1000 pcs: $0.437

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Spezifikationen von FCP11N60

Artikelnummer	FCP11N60	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	31639 pcs	Datenblatt	1.FCP11N60.pdf 2.FCP11N60.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	SuperFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	FCP11N60_NL FCP11N60_NL-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1490pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)

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