FDB024N04AL7

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDB024N04AL7
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
Datenblätte:	FDB024N04AL7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	19365 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19365 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.689

10 pcs: $1.507

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Spezifikationen von FDB024N04AL7

Artikelnummer	FDB024N04AL7	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V D2PAK-7	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	19365 pcs	Datenblatt	FDB024N04AL7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	214W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Andere Namen	FDB024N04AL7CT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7300pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	109nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 40V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)

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