FDB0250N807L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDB0250N807L
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK
Datenblätte:	FDB0250N807L.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	31492 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 31492 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

800 pcs: $1.065

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Spezifikationen von FDB0250N807L

Artikelnummer	FDB0250N807L	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	31492 pcs	Datenblatt	FDB0250N807L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	3.8W (Ta), 214W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Andere Namen	FDB0250N807LTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	15400pF @ 40V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 240A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	240A (Tc)

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