FDB035N10A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDB035N10A
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Datenblätte:	FDB035N10A.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	18193 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18193 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.097

10 pcs: $1.872

100 pcs: $1.535

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Spezifikationen von FDB035N10A

Artikelnummer	FDB035N10A	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	18193 pcs	Datenblatt	FDB035N10A.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)	333W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FDB035N10ADKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7295pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	116nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 120A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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