FDB039N06

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDB039N06
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Datenblätte:	FDB039N06.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6952 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6952 pcs

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Spezifikationen von FDB039N06

Artikelnummer	FDB039N06	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6952 pcs	Datenblatt	FDB039N06.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)	231W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FDB039N06TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8235pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	133nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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